黃芊芊，別名：“芯片奇才”、“芯片女神”，1989年出生于江西省上饒市，畢業(yè)于北京大學(xué)，現(xiàn)任北京大學(xué)微納電子學(xué)系研究員、博士生導(dǎo)師。

黃芊芊

2011年，獲得了北京大學(xué)理學(xué)博士學(xué)位，讀博期間，獲得教育部博士研究生學(xué)術(shù)新人獎、北京大學(xué)學(xué)術(shù)十杰等多項獎勵和榮譽。2017年，入選“未來女科學(xué)家計劃”獎項。同年，正式入職北大，成為了微納電子學(xué)系的研究員、博士生導(dǎo)師。

主要研究方向為后摩爾時代超低功耗微納電子器件及其在邏輯電路、神經(jīng)形態(tài)計算等領(lǐng)域的應(yīng)用。因在專業(yè)領(lǐng)域的重要貢獻，黃芊芊榮獲了IEEE電子器件學(xué)會青年成就獎，是該獎項設(shè)立以來第二位來自中國科研單位的獲獎?wù)摺?/p>

 1989年

出生

1989年出生于江西省上饒市信州區(qū)。

2015年

獲北京大學(xué)理學(xué)博士學(xué)位

2015年獲北京大學(xué)理學(xué)博士學(xué)位。

2017年9月

任北京大學(xué)研究員、博士生導(dǎo)師

2017年09月至今，任北京大學(xué)信息科學(xué)技術(shù)學(xué)院研究員、博士生導(dǎo)師。

2019年10月

獲得了IEEE電子器件學(xué)會青年成就獎

2019年10月，黃芊芊因為在“超低功耗微納電子器件基礎(chǔ)研究”領(lǐng)域做出了重大的貢獻。而獲得了IEEE電子器件學(xué)會青年成就獎。在采訪時黃芊芊也曾表示：“這次獲獎是對她十多年來的科研成果的肯定，也是她最大的榮譽。”

教育經(jīng)歷

時間	院校	專業(yè)	學(xué)位
xx-2006年	上饒一中		中學(xué)
2006.09-2010.07	北京大學(xué)	微電子學(xué)與固體電子學(xué)專業(yè)	學(xué)士
2010.09-2015.07	北京大學(xué)	微電子學(xué)與固體電子學(xué)專業(yè)	博士

工作經(jīng)歷

2015.10-2017.09在北京大學(xué)從事博士后工作。

2017.09至今，擔(dān)任北京大學(xué)助理教授、研究員、博士生導(dǎo)師。

2019年，北京大學(xué)邀請黃芊芊親手寫下書信，為新生表達祝福，與錄取通知書一同寄出。

主要成就 編輯本段

科研成就

研究領(lǐng)域

（1）研制出的新機理超低功耗器件打破了國際上硅基隧穿器件的亞閾擺幅紀錄，器件綜合性能為國際報道中同類器件最高，相關(guān)成果被國際半導(dǎo)體技術(shù)路線指南（ITRS）及國際器件與系統(tǒng)路線指南（IRDS）引用，并與中芯國際合作研制了世界上首個基于現(xiàn)行標準CMOS工藝平臺的互補隧穿器件集成技術(shù)

黃芊芊“芯片奇才”

（2）國際上首次在單獨鐵電電容中直接觀測到負微分電容現(xiàn)象，針對低功耗負電容晶體管中最具爭議的穩(wěn)態(tài)負電容機制問題，提出并驗證了符合物理本質(zhì)的動態(tài)極化翻轉(zhuǎn)負電容理論

（3）國際上首次利用鐵電極化翻轉(zhuǎn)模擬生物神經(jīng)元動態(tài)行為提出并實驗實現(xiàn)了基于新型超低功耗仿生鐵電晶體管的脈沖神經(jīng)元，極大降低了脈沖神經(jīng)元的硬件開銷和能耗，為大規(guī)模、高集成的超低功耗神經(jīng)形態(tài)計算芯片奠定了重要器件基礎(chǔ)。

課題

• 國家重點研發(fā)計劃專項項目課題
• 國家自然科學(xué)基金應(yīng)急管理項目
• 國家自然科學(xué)基金優(yōu)秀青年科學(xué)基金項目
• 國家自然科學(xué)基金青年科學(xué)基金項目
• 中國博士后科學(xué)基金特別資助項目

論文

已發(fā)表/合作發(fā)表論文70余篇，其中以第一作者/通訊作者身份在微電子領(lǐng)域頂級國際會議IEDM與VLSI上發(fā)表論文9篇（含一作6篇），代表論文有：

• Yiqing Li, Qianqian Huang*, Mengxuan Yang, Ting Li, Zhixuan Wang, Weihai Bu, Jin Kang, Wenbo Wang, Shengdong Zhang, and Ru Huang*, “A Novel Self-Aligned Dopant-Segregated Schottky Tunnel-FET with Asymmetry Sidewall Based on Standard CMOS Technology”, in ICSICT, Kun Ming, China, 2020. (Best Student Paper Award)
• Shuhan Liu, Tianyi Liu, Zhiyuan Fu, Cheng Chen, Qianqian Huang*, Ru Huang*, “Implementation of lateral divisive inhibition based on ferroelectric FET with ultra-low hardware cost for neuromorphic computing”, in CSTIC, Shanghai, China, June, 2020. (1st prize of the CSTIC Best Student Paper Awards)
• Jin Luo, Liutao Yu, Tianyi Liu, Mengxuan Yang, Zhiyuan Fu, Zhongxin Liang, Liang Chen, Cheng Chen, Shuhan Liu, Si Wu, Qianqian Huang*, Ru Huang*, “Capacitor-less Stochastic Leaky-FeFET Neuron of Both Excitatory and Inhibitory Connections for SNN with Reduced Hardware Cost”, in IEDM Tech. Dig., 2019.
• Cheng Chen, Mengxuan Yang, Shuhan Liu, Tianyi Liu, Kunkun Zhu, Yang Zhao, Huimin Wang, Qianqian Huang* and Ru Huang*, “Bio-Inspired Neurons Based on Novel Leaky-FeFET with Ultra-Low Hardware Cost and Advanced Functionality for All-Ferroelectric Neural Network”, in VLSI Symp. Tech. Dig., 2019.
• Yang Zhao, Zhongxin Liang, Qianqian Huang*, Cheng Chen, Mengxuan Yang, Zixuan Sun, Kunkun Zhu, Huimin Wang, Shuhan Liu, Tianyi Liu, Yue Peng, Genquan Han and Ru Huang*, “A Novel Negative Capacitance Tunnel FET with Improved Subthreshold Swing and Nearly Non-Hysteresis through Hybrid Modulation”, IEEE Electron Device Lett., vol. 40, no. 6, 2019, pp. 989-992.
• Zhixuan Wang, Yuan Zhong, Cheng Chen, Qianqian Huang*, Le Ye*, Libo Yang, Yangyuan Wang, Ru Huang, “Ultra-Low Power Hybrid TFET-MOSFET Topologies for Standard Logic Cells with Improved Comprehensive Performance”, ISCAS, Sapporo, Japan, May 2019.
• Kunkun Zhu, Qianqian Huang*, Huimin Wang, Mengxuan Yang, Yang Zhao, Ru Huang*, “Investigation of Negative Capacitance Effect from Domain Switching Dynamics”, in CSTIC, Shanghai, China, March, 2019. (1st prize of the CSTIC Best Student Paper Awards)
• Huimin Wang, Mengxuan Yang, Qianqian Huang*, Kunkun Zhu, Yang Zhao, Zhongxin Liang, Cheng Chen, Zhixuan Wang, Yuan Zhong, Xing Zhang, Ru Huang*, “New Insights into the Physical Origin of Negative Capacitance and Hysteresis in NCFETs”, in IEDM Tech. Dig., 2018, pp. 707-710.
• Jiaxin Wang, Rundong Jia, Qianqian Huang*, Chen Pan, Jiadi Zhu, Huimin Wang, Cheng Chen, Yawen Zhang, Yuchao Yang, Haisheng Song, Feng Miao, Ru Huang*, “Vertical WS2/SnS2 van der Waals Heterostructure for Tunneling Transistors”, Scientific Reports, 8, 17755 (2018).
• Yawen Zhang, Jiewen Fan, Qianqian Huang*, Jiadi Zhu, Yang Zhao, Ming Li, Yanqing Wu, Ru Huang*, “Voltage-Controlled Magnetoresistance in Silicon Nanowire Transistors”, Scientific Reports, 8, 15194 (2018).
• Cheng Chen, Qianqian Huang*, Jiadi Zhu, Zhixuan Wang, Yang Zhao, Rundong Jia, Lingyi Guo, Ru Huang*, “New Insights into Energy Efficiency of Tunnel FET with Awareness of Source-Doping-Gradient Variation”, IEEE Trans. Electron Devices, vol. 65, no. 5, pp.2003-2009, 2018.
• Cheng Chen, Qianqian Huang*, Jiadi Zhu, Yang Zhao, Lingyi Guo, Ru Huang*, “New Understanding of Random Telegraph Noise Amplitude in Tunnel FETs”, IEEE Trans. Electron Devices, vol. 64, no. 8, pp. 3324-3330, 2017.
• Jiadi Zhu, Yang Zhao, Qianqian Huang*, Cheng Chen, Chunlei Wu, Rundong Jia, and Ru Huang*, “Design and Simulation of a Novel Graded-Channel Heterojunction Tunnel FET with High ION/IOFF Ratio and Steep Swing”, IEEE Electron Device Lett., vol. 38, no. 9, pp. 1200-1203, 2017.
• Jiadi Zhu, Qianqian Huang*, Lingyi Guo, Libo Yang, Cheng Chen, Le Ye and Ru Huang*, “Benchmarking of multi-finger Schottky-barrier tunnel FET for ultra-low power applications”, in CSTIC, Shanghai, China, March, 2018. (1st prize of the CSTIC Best Poster Awards)
• Yang Zhao, Chunlei Wu, Qianqian Huang*, Cheng Chen, Jiadi Zhu, Lingyi Guo, Rundong Jia, Zhu lv, Yuchao Yang, Ming Li*, Ru Huang*, “A Novel Tunnel FET Design through Adaptive Bandgap Engineering with Constant Sub-threshold Slope over 5 Decades of Current and High ION/IOFF Ratio”, IEEE Electron Device Lett., vol. 39, no. 5, 2017, pp. 540-543.
• Qianqian Huang, Rundong Jia, Jiadi Zhu, Zhu Lv, Jiaxin Wang, Cheng Chen, Yang Zhao, Runsheng Wang, Weihai Bu, Wenbo Wang, Jin Kang, Kelu Hua, Hanming Wu, Shaofeng Yu, Yangyuan Wang, Ru Huang, “Deep Insights into Dielectric Breakdown in Tunnel FETs with Awareness of Reliability and Performance Co-Optimization”, in IEDM Tech. Dig., 2016, pp. 782-785.
• Qianqian Huang, Rundong Jia, Cheng Chen, Hao Zhu, Lingyi Guo, Junyao Wang, Jiaxin Wang, Chunlei Wu, Runsheng Wang, Weihai Bu, Jing Kang, Wenbo Wang, Hanming Wu, Shiuh-Wuu Lee, Yangyuan Wang, Ru Huang, “First Foundry Platform of Complementary Tunnel-FETs in CMOS Baseline Technology for Ultralow-Power IoT Applications: Manufacturability, Variability and Technology Roadmap”, in IEDM Tech. Dig., 2015, pp. 604-607.
• Qianqian Huang, Ru Huang, Chunlei Wu, Hao Zhu, Cheng Chen, Jiaxin Wang, Lingyi Guo, Runsheng Wang, Le Ye and Yangyuan Wang, “Comprehensive Performance Re-assessment of TFETs with a Novel Design by Gate and Source Engineering from Device/Circuit Perspective”, in IEDM Tech. Dig., 2014, pp. 335 - 338.
• Qianqian Huang, Ru Huang, Cheng Chen, Chunlei Wu, Jiaxin Wang, Chao Wang, Yangyuan Wang, “Deep Insights into Low Frequency Noise Behavior of Tunnel FETs with Source Junction Engineering”, in VLSI Symp. Tech. Dig., 2014, pp. 88-89.
• Qianqian Huang, Ru Huang, Yue Pan, Shenghu Tan, Yangyuan Wang, “Resistive-Gate Field-Effect Transistor: a Novel Steep-Slope Device Based on a Metal-Insulator-Metal-Oxide Gate Stack”, IEEE Electron Device Lett.,vol. 35, no. 8, pp. 877-879, 2014.
• Qianqian Huang, Ru Huang, Shaowen Chen, Jundong Wu, Zhan Zhan, Yingxin Qiu, and Yangyuan Wang, “Device physics and design of T-gate Schottky barrier tunnel FET with adaptive operation mechanism,” Semicond. Sci. Tech.,vol.29, no. 9, pp. 095013, 2014. (IOP select)
• Qianqian Huang, Ru Huang, Zhan Zhan, Yingxin Qiu, Wenzhe Jiang, Chunlei Wu, Yangyuan Wang, “A Novel Si Tunnel FET with 36mV/dec Subthreshold Slope Based on Junction Depleted-Modulation through Striped Gate Configuration”, in IEDM Tech. Dig., 2012, pp. 187 - 190.
• Qianqian Huang, Zhan Zhan, Ru Huang , Xiang Mao, Lijie Zhang, Yingxin Qiu, Yangyuan Wang, "Self-Depleted T-gate Schottky Barrier Tunneling FET with Low Average Subthreshold Slope and High ION/IOFF by Gate Configuration and Barrier Modulation", in IEDM Tech. Dig., 2011, pp. 382-385.
• Qianqian Huang, Ru Huang, Zhenhua Wang, Zhan Zhan, and Yangyuan Wang, "Schottky barrier impact-ionization metal-oxide-semiconductor device with reduced operating voltage", Appl. Phys. Lett., 99, 083507 (2011).

社會活動 編輯本段

• IEEE Electron Devices Society VLSI Technology&Circuits技術(shù)委員會委員
• 中國電子學(xué)會青年女科學(xué)家俱樂部第一屆理事會理事
• 北京大學(xué)女教授協(xié)會理事
• 2019年當(dāng)選中國電子學(xué)會青年女科學(xué)家俱樂部第一屆理事會理事
• 2018年獲國家優(yōu)秀青年科學(xué)基金項目資助
• 2017年入選中國未來女科學(xué)家計劃（年度全國共4人）
• 2016年獲中國博士后科學(xué)基金特別資助項目資助

獲得榮譽 編輯本段

時間	獎項全稱	具體獎項	獲獎作品	頒獎機構(gòu)
	中國電子學(xué)會優(yōu)秀博士論文			中國電子學(xué)會
	北京大學(xué)優(yōu)秀博士論文			北京大學(xué)
	北京大學(xué)學(xué)術(shù)十杰獎	學(xué)術(shù)十杰
	教育部博士研究生學(xué)術(shù)新人獎	學(xué)術(shù)新人獎
2020年	2020年度求是杰出青年學(xué)者獎	求是杰出青年學(xué)者獎
2020年	中國電子學(xué)會優(yōu)秀科技工作者榮譽稱號
2020年9月25日	2020年“科學(xué)探索獎”	科學(xué)探索獎

人物評價

對于黃芊芊來說，踏上科研之路，便是她人生最正確的選擇，是引導(dǎo)她人生開拓向前的第一粒紐扣。志之所趨，無遠弗屆，窮山距海，不能限也。在興趣與使命的驅(qū)動下，她將滿腔的熱情投入到科研創(chuàng)新工作中，腳踏實地，慢慢將科研理想變?yōu)楝F(xiàn)實。憑借多年來在超低功耗微納電子新原理器件研究中所取得的優(yōu)秀成果。

漫漫科研路，孜孜探尋心，雖獎勵加身，但黃芊芊從未有過一刻懈怠。她深知藍圖不可能一蹴而就，在超低功耗微納電子器件研究中，她還需倍加努力，創(chuàng)新篤行。